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SanDisk propõe memória flash de alta largura de banda para IA

Em publicação de 12 de outubro de 2025, a SanDisk propôs a High Bandwidth Flash, um design NAND que busca combinar capacidade muito maior que a HBM com largura de banda de leitura e preço semelhantes.

Em publicação datada de 12 de outubro de 2025, a SanDisk apresentou a High Bandwidth Flash (HBF), um design baseado em memória NAND voltado a cargas de inferência de IA. Segundo a publicação, a proposta busca oferecer capacidade de 8 a 16 vezes a da HBM, com largura de banda de leitura e preço semelhantes.

A empresa espera as primeiras amostras para o segundo semestre de 2026. A proposta poderia ampliar as opções de memória de maior capacidade para inferência, mas os números são objetivos anunciados, não resultados de produto já demonstrados. Consulte a publicação original da SanDisk e confira futuras amostras e medições para verificar as alegações.

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